2019/05/22
东京工业大学
庆应义塾大学
东京工业大学 科学技術創成研究院 フロンティア材料研究所の中村一隆准教授、萱沼洋輔特任教授と庆应义塾大学 大学院理工学研究科の鹿野豊特任准教授らは、超短パルス光照射をした半導体結晶中で、光遷移過程の量子経路干渉による電子コヒーレンスの崩壊と復活現象が起こること、不透明領域においてもコヒーレント光学フォノン生成に誘導ラマン過程が支配的であることを明らかにした。
高精度に时间制御したフェムト秒パルス対を半导体単结晶（苍型骋补础蝉＝ガリウム?ヒ素）に照射し、発生するコヒーレント光学フォノンにより変化する反射率を実时间计测した。数十アト秒精度でパルス间隔を変化させることで、电子?フォノン状态の量子重ね合わせ状态をアクティブに制御することに成功し、电子コヒーレンスの崩壊と復活现象を観测した。
また、コヒーレント光学フォノン生成の素过程に関する量子论に基づいた理论计算と比较することで、観测された电子コヒーレンスの振る舞いは、诱导ラマン过程によることを示した。今回の研究により、固体中における高精度の量子状态制御が可能になると期待される。
研究成果は5月20日（米国東部時間）に米国物理学会誌「Physical Review（フィジカル?レビュー） B」のRapid Communication（速報）およびEditor’s Suggestion（注目論文）としてオンライン版に掲載された。
プレスリリース全文は、以下をご覧下さい。